UnitedSiC, produttore leader di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC), continua ad espandere il proprio portafoglio FET con l’introduzione di sei nuove opzioni da 650V e 1200V, tutte alloggiate nella superficie D2PAK-7L standard del settore...
In alternativa ai tradizionali MOSFET al silicio, i MOSFET al carburo di silicio (Sic) offrono i vantaggi di una maggiore tensione di blocco, minore resistenza allo stato on e maggiore conduttività termica. I dispositivi possono sostituire MOSFET al silicio e IGBT in...
Le modalità in cui cambiano VDS e ID del MOSFET SiC LS (low-side) sono diversi in caso di accensione e spegnimento. Quando si considera l’effetto di questi cambiamenti sulla tensione gate-source (VGS), il nostro punto di partenza è un circuito equivalente che...
Panoramica del prodotto Descrizione Questo diodo SiC da 10 A, 1200 V è un diodo Schottky di potenza ad altissime prestazioni. È prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale a banda larga consente la progettazione di una struttura a diodi...
UnitedSiC ha lanciato FET-Jet Calculator, un semplice strumento online senza registrazione che aiuta la selezione e il confronto delle prestazioni in varie applicazioni e topologie di potenza. Questo nuovo strumento consente agli ingegneri di prendere decisioni e di...