I transistor GaN sono ideali per le nuove applicazioni di potenza. Essi sono caratterizzati da piccole dimensioni, velocità operative molto alte e risultano estremamente efficienti. Con essi, qualsiasi progetto di potenza può essere realizzato senza problemi. In...
ROHM ha sviluppato quella che afferma essere la più alta tecnologia del settore con tensione di rottura del gate (8V) (tensione nominale gate-source) per dispositivi HEMT GaN da 150 V, ottimizzata per circuiti di alimentazione in apparecchiature industriali e di...