ROHM ha ampliatmodelli SPICE per LTspice® del suo simulatore di circuiti. Il software LTspice® è anche dotato di funzioni quali l’acquisizione o la libreria della line-up di grafica del circuito e il visualizzatore di forme d’onda che consentono ai...
A cura del Dr. Shuilin Tian e del Dr. Denis Marcon di Innoscience Il mondo dell’elettronica di potenza ha accolto con interesse i vantaggi offerti dalla tecnologia basata sul nitruro di gallio (GaN). Gli articoli pubblicati sulla stampa specializzata, le...
Un MOSFET in stato di conduzione lavora con una efficienza massima, in quanto la tensione Drain-Source è minima, come pure la dissipazione di potenza. Ma se esso lavora in un sistema dinamico, le veloci commutazioni lo relegano in brevissime zone lineari, che ne...
Grazie alle migliori prestazioni di commutazione e alla bassa resistenza di accensione, i MOSFET CoolSiC consentono di ridurre le dimensioni dei sistemi, aumentare la densità di potenza e garantire un funzionamento affidabile a temperature estreme. L’ultima...
ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serie RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali...