EPC lancia la famiglia GaN rad-hard
Efficient Power Conversion (EPC) ha lanciato una famiglia di transistor e circuiti integrati GaN rad-hard. L’EPC7014 (un eGaNFET da 60 V, 340 mΩ, 4 Apulsed, rad-hard con un ingombro di 0,81 mm2) è il primo della famiglia. L’EPC7014 ha un dosaggio totale...
Risolvere il problema della tensione di rottura del gate dei dispositivi GaN
ROHM ha sviluppato quella che afferma essere la più alta tecnologia del settore con tensione di rottura del gate (8V) (tensione nominale gate-source) per dispositivi HEMT GaN da 150 V, ottimizzata per circuiti di alimentazione in apparecchiature industriali e di...
Reference Design per Caricabatterie GaN da 100W
GaN Systems ha annunciato l’uscita del del più piccolo caricatore PD GaN intelligente con doppia USB-C da 10032 W. Questo progetto raggiunge la più alta densità di potenza di qualsiasi caricabatterie da 100 W sul mercato pur essendo il più intelligente. Il...
