E’ disponibile il transistor A3G26D055N Airfast RF al nitruro di gallio (GaN) di NXP Semiconductors. Il transistor è destinato ad applicazioni di stazioni base cellulari che richiedono una capacità di larghezza di banda istantanea molto ampia. Questo componente RF Doherty simmetrico da 8 W offre un’ampia gamma di frequenze da 100 MHz a 2690 MHz. Il dispositivo fornisce un guadagno di potenza di 18 dB (tipico) a 2675 MHz con un’efficienza del 54,1%. Offre inoltre impedenze terminali elevate e una magnitudo vettoriale di errore (EVM) altamente linearizzata, che lo rendono ottimale per i massicci sistemi di antenne attive MIMO per stazioni base 5G. Le applicazioni per il transistor includono MIMO massivo 5G, W-CDMA e LTE, stazioni base e driver per macrocelle, stadio finale di piccole celle, antenne attive e telecomunicazioni generiche.