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Nuovo MOSFET ad alta SOA ottimizzato per applicazioni hot swap a 12 V

da | 14 Nov, 22 | News |

Alpha and Omega Semiconductor Limited ha presentato AONS30300, un MOSFET da 30 V con bassa resistenza di accensione. L’AONS30300 è caratterizzato da un’elevata capacità SOA che lo rende ideale per le applicazioni più esigenti, tra cui hot swap ed eFuse.

Un’elevata SOA è fondamentale nelle applicazioni di hot swap dei server, dove il MOSFET deve essere robusto per gestire efficacemente l’elevata corrente di spunto. L’AONS30300 offre un’elevata robustezza SOA sotto 10VDS con un’ampiezza di impulso di 10ms e un limite SOA di ~48V. Questo nuovo MOSFET è fornito in un package DFN 5×6 compatto con una Rd(son) massima di 0,58mOhm a una tensione applicata Gate-Source pari a 10VGS. Inoltre, l’AONS30300 è classificato a Tj=175C.

“L’alta affidabilità è una metrica essenziale nelle infrastrutture dei data center. Ecco perché i MOSFET che presentano un’elevata SOA sono fondamentali nelle odierne applicazioni hot swap, in cui i progettisti devono specificare i componenti più robusti e affidabili per soddisfare le esigenze dei server. Abbiamo progettato l’AONS30300 con elevate capacità di SOA e bassa resistenza di accensione per aiutare i nostri clienti a soddisfare questi impegnativi requisiti applicativi e obiettivi di uptime”, ha dichiarato Peter H. Wilson, direttore senior della linea di prodotti MOSFET di AOS.

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