Infineon Technologies AG lancia i nuovi IGBT EDT2 in un pacchetto TO247PLUS. I dispositivi sono ottimizzati per inverter a trazione discreta per autoveicoli ed espandono il portafoglio di dispositivi discreti ad alta tensione per applicazioni automobilistiche. Grazie alla loro alta qualità, gli IGBT soddisfano e superano lo standard industriale AECQ101 per i componenti automobilistici. Pertanto, i dispositivi possono aumentare notevolmente le prestazioni e l’affidabilità dei sistemi inverter. Con il design della cella di arresto di campo a micro-pattern automobilistico, i dispositivi si basano su una tecnologia che è già stata utilizzata con successo in numerosi moduli inverter come EasyPACK 2B EDT2 o HybridPACK. In base alle esigenze delle applicazioni target, la famiglia di prodotti è resistente ai cortocircuiti. Inoltre, il pacchetto TO247PLUS fornisce una maggiore distanza di dispersione per una facile progettazione. La tecnologia EDT2 è ottimizzata per inverter di trazione e ha una tensione di rottura di 750 V, supporta tensioni della batteria fino a 470 V CC e perdite di commutazione e conduzione notevolmente inferiori.

Le correnti nominali degli IGBT discreti EDT2 sono 120 A e 200 A a 100 C, ciascuna con una tensione diretta molto bassa, riducendo le perdite di conduzione fino al 13% rispetto all’ultima generazione. Con una corrente nominale di 200 A, l’AIKQ200N75CP2 è anche il miglior IGBT discreto della categoria in un pacchetto TO247Plus. Pertanto, sono necessari meno dispositivi in ​​parallelo per una classe di potenza target definita. Inoltre, la densità di potenza aumenta e i costi di sistema diminuiscono. Inoltre, gli IGBT EDT2 offrono una distribuzione dei parametri estremamente ristretta. La differenza di tensione di saturazione collettore-emettitore (V ce(sat)) tra i valori tipici e massimi è inferiore a 200 mV e la differenza di tensione di soglia del gate (V GEth) è inferiore a 750 mV. Inoltre, il coefficiente termico è positivo. Ciò consente un facile funzionamento in parallelo e fornisce flessibilità del sistema e scalabilità energetica per i progetti finali. Inoltre, gli IGBT forniscono prestazioni di commutazione fluide, bassa carica di gate (Q G) e un’elevata temperatura di giunzione (T vjop) di 175°C.