Nuovi IGBT automobilistici per inverter a trazione discreta
Infineon Technologies AG lancia i nuovi IGBT EDT2 in un pacchetto TO247PLUS. I dispositivi sono ottimizzati per inverter a trazione discreta per autoveicoli ed espandono il portafoglio di dispositivi discreti ad alta tensione per applicazioni automobilistiche. Grazie alla loro alta qualità, gli IGBT soddisfano e superano lo standard industriale AECQ101 per i componenti automobilistici. Pertanto, i dispositivi possono aumentare notevolmente le prestazioni e l’affidabilità dei sistemi inverter. Con il design della cella di arresto di campo a micro-pattern automobilistico, i dispositivi si basano su una tecnologia che è già stata utilizzata con successo in numerosi moduli inverter come EasyPACK 2B EDT2 o HybridPACK. In base alle esigenze delle applicazioni target, la famiglia di prodotti è resistente ai cortocircuiti. Inoltre, il pacchetto TO247PLUS fornisce una maggiore distanza di dispersione per una facile progettazione. La tecnologia EDT2 è ottimizzata per inverter di trazione e ha una tensione di rottura di 750 V, supporta tensioni della batteria fino a 470 V CC e perdite di commutazione e conduzione notevolmente inferiori.
Le correnti nominali degli IGBT discreti EDT2 sono 120 A e 200 A a 100 C, ciascuna con una tensione diretta molto bassa, riducendo le perdite di conduzione fino al 13% rispetto all’ultima generazione. Con una corrente nominale di 200 A, l’AIKQ200N75CP2 è anche il miglior IGBT discreto della categoria in un pacchetto TO247Plus. Pertanto, sono necessari meno dispositivi in parallelo per una classe di potenza target definita. Inoltre, la densità di potenza aumenta e i costi di sistema diminuiscono. Inoltre, gli IGBT EDT2 offrono una distribuzione dei parametri estremamente ristretta. La differenza di tensione di saturazione collettore-emettitore (V ce(sat)) tra i valori tipici e massimi è inferiore a 200 mV e la differenza di tensione di soglia del gate (V GEth) è inferiore a 750 mV. Inoltre, il coefficiente termico è positivo. Ciò consente un facile funzionamento in parallelo e fornisce flessibilità del sistema e scalabilità energetica per i progetti finali. Inoltre, gli IGBT forniscono prestazioni di commutazione fluide, bassa carica di gate (Q G) e un’elevata temperatura di giunzione (T vjop) di 175°C.
