Nuovi GaN HEMT con caratteristiche innovative
Gli HEMT GaN ROHM da 150 V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) migliorano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8 V e sono ideali da utilizzare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali, comprese stazioni base e data center insieme alla comunicazione dei dispositivi IoT. A causa della crescente domanda di sistemi server, in risposta al numero crescente di dispositivi IoT, il miglioramento dell’efficienza di conversione dell’energia e la riduzione delle dimensioni sono diventate questioni sociali cruciali, che richiedono ulteriori progressi nel settore dei dispositivi di alimentazione.
Insieme a dispositivi SiC leader del settore e dispositivi al silicio ricchi di funzionalità, l’azienda ha sviluppato dispositivi GaN HEMT che realizzano un funzionamento ad alta frequenza superiore nella gamma di media tensione, consentendo all’azienda di offrire soluzioni di alimentazione per un più ampio assortimento di applicazioni. Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione nominale gate-source dai 6 V convenzionali a 8 V. Di conseguenza, il degrado viene interrotto, anche se si verificano sovratensioni superiori a 6 V attraverso la commutazione, contribuendo a un migliore margine di progettazione e una maggiore affidabilità nei circuiti di alimentazione. La serie è fornita in un pacchetto altamente versatile che offre una dissipazione del calore superiore e una capacità di corrente considerevole, facilitando la manipolazione durante il processo di montaggio.
