MOSFET in carburo di silicio (SiC) onsemi M3S 1200V
I MOSFET in carburo di silicio (SiC) onsemi M3S 1200V sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con azionamento di tensione di gate negativo e picchi di spegnimento sul gate. I MOSFET onsemi M3S da 1200 V offrono prestazioni ottimali se pilotati con un gate drive da 18 V, ma funzionano bene anche con un gate drive da 15 V. L’M3S offre basse perdite di commutazione ed è alloggiato in un contenitore TO247-4LD per una bassa induttanza della sorgente comune.
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