I nuovi MOSFET SJ da 600 V rilasciati da Magnachip hanno una RDS(on) di 44 mΩ per i caricatori di veicoli elettrici e i server. Magnachip Semiconductor Corporation ha presentato una nuova famiglia di transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico a supergiunzione (SJ MOSFET) da 600 V, composta da nove prodotti distinti caratterizzati da una tecnologia di progettazione proprietaria. Il design proprietario di Magnachip consente di ridurre la resistenza di accensione specifica (RSP) di circa il 10%, e questo risultato è stato ottenuto mantenendo gli stessi passi di cella dei MOSFET della generazione precedente.

Inoltre, la nuova famiglia di MOSFET SJ da 600 V è dotata di un diodo a recupero rapido. Questa tecnologia a diodi migliora significativamente l’efficienza del sistema, riducendo il tempo di recupero inverso (trr) e la perdita di commutazione. Pertanto, la figura di merito per valutare le prestazioni generali dei MOSFET è stata migliorata di oltre il 10% rispetto alla generazione precedente. Per questo motivo, questi MOSFET SJ da 600 V possono essere ampiamente utilizzati in applicazioni industriali, come inverter solari, sistemi di accumulo dell’energia, sistemi di alimentazione ininterrotta e una serie di dispositivi elettronici. Tra questi nuovi MOSFET, il prodotto MMQ60R044RFTH offre un RDS(on) eccezionalmente basso, pari a 44mΩ, che lo rende una scelta ottimale per i caricatori di veicoli elettrici e i server. Omdia, una società di ricerche di mercato globale, stima che i tassi di crescita annuali composti dei mercati dei MOSFET Si per i veicoli ibridi ed elettrici e per i server saranno rispettivamente dell’11% e del 7% dal 2023 al 2026.