iDEAL Semiconductor lancia la tecnologia SuperQ

iDEAL Semiconductor lancia la tecnologia SuperQ

L’innovazione della tecnologia SuperQ consente al silicio di progredire pur offrendo ai clienti dispositivi più piccoli, più efficienti e meno costosi. iDEAL Semiconductor ha annunciato la disponibilità della sua tecnologia brevettata SuperQ. In diverse applicazioni, come data center, veicoli elettrici, pannelli solari, azionamenti per motori, apparecchiature mediche e elettrodomestici, SuperQ è in grado di ridurre le perdite di potenza. Grazie alla sua maggiore efficienza, è possibile un futuro più sostenibile e l’impronta di carbonio viene ridotta. Gli ingegneri e gli scienziati di iDEAL hanno completamente riprogettato l’architettura del dispositivo di potenza e hanno aumentato le prestazioni con una funzione a gradini. La tecnologia si basa sul silicio, che rappresenta il 95% della capacità mondiale di produzione di semiconduttori ed è compatibile con i nuovi materiali per semiconduttori di potenza.

Negli ultimi due decenni non ci sono state molte innovazioni nella struttura fondamentale dei semiconduttori di potenza e le prestazioni dei dispositivi di potenza al silicio si sono stabilizzate. I limiti del silicio non sono stati ampliati per aumentare ulteriormente le prestazioni, ma si è puntato sui materiali. iDEAL Semiconductor ha sviluppato un’architettura rivoluzionaria attraverso l’ingegneria su scala atomica e la ricerca scientifica che spinge le prestazioni a nuovi livelli e confuta l’idea che la tecnologia del silicio si stia avvicinando al suo limite di sviluppo. SuperQ offre una resistenza per unità di superficie (RSP) che batte tutti i record precedenti. È stata sviluppata utilizzando la scienza e l’ingegneria a livello atomico. La tecnologia offre agli sviluppatori di sistemi dispositivi a semiconduttore di potenza migliorati, come diodi, transistor a semiconduttore a ossido metallico a effetto campo (MOSFET), transistor bipolari a porta isolata (IGBT) e circuiti integrati (IC), con tensioni iniziali fino a 850V. Ad esempio, i MOSFET da 200 V basati su SuperQ producono una resistenza sei volte inferiore rispetto al silicio attuale e 1,6 volte inferiore rispetto al nitruro di gallio (GaN). Gli inverter per motori progettati con la tecnologia SuperQ possono ridurre le perdite di potenza fino al 50%. Le moderne apparecchiature a semiconduttore complementare a ossido di metallo (CMOS) producono questa tecnologia. La tecnologia SuperQ è stata progettata per ridurre al minimo le perdite di potenza in ogni applicazione, consentendo un utilizzo più ecologico dell’energia per la prossima generazione. Si applica a diversi prodotti, applicazioni e materiali semiconduttori.