Questo diodo SiC da 10 A, 650 V è un diodo Schottky ad altissime prestazioni. È prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale a banda larga consente la progettazione di una struttura a diodi Schottky con una potenza nominale di 650 V. A causa della costruzione Schottky, non viene mostrato alcun recupero allo spegnimento e i suoi modelli sono trascurabili.

Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D²PAK HV, questo diodo è perfettamente adatto per un utilizzo in applicazioni PFC, in stazioni di ricarica, DC/DC, facilitando la conformità a IEC-60664-1. L’STPSC10H065G2 aumenterà le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata capacità di sovratensione in avanti garantisce una buona robustezza durante le fasi transitorie.