CGD e IFP Energies nouvelles firmano un accordo per lo sviluppo di inverter per autoveicoli

CGD e IFP Energies nouvelles firmano un accordo per lo sviluppo di inverter per autoveicoli

L’azienda di semiconduttori Fabless Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) ha firmato un accordo con IFP Energies nouvelles (IFPEN), un ente pubblico francese di ricerca e formazione nei settori dell’energia, dei trasporti e dell’ambiente – per lo sviluppo di un inverter automobilistico che utilizza dispositivi GaN. Nata dal gruppo Electrical Power and Energy Conversion del Dipartimento di Ingegneria dell’Università di Cambridge nel 2016 ad opera della dottoressa Giorgia Longobardi e del professor Florin Udrea, CGD progetta, sviluppa e commercializza transistor di potenza e circuiti integrati che utilizzano substrati di GaN su silicio. L’innovazione tecnologica è al centro di tutte le attività dell’IFPEN e le partnership strette con i principali attori sono essenziali per il successo di qualsiasi progetto. Questo accordo di partnership con CGD è un elemento chiave per le future attività nell’elettronica di potenza per la mobilità elettrica, in particolare per la prossima generazione di inverter, dove è necessario un passo tecnologico per ridurre le dimensioni e aumentare i livelli di densità di potenza, sfidando al contempo i costi.

La partnership unisce due aree di competenza altamente complementari. Si dice che IFPEN conosca il mercato automobilistico e i suoi obiettivi di prestazione, e che possieda una forte posizione nello sviluppo di inverter e software, con una conoscenza approfondita degli algoritmi e delle apparecchiature necessarie. La tecnologia GaN di CGD ha dato vita a quella che viene definita la prima famiglia di HEMT GaN da 650V scalabile e facile da usare del settore. I dispositivi della serie ICeGaN H1 dell’azienda sono HEMT enhancement-mode a chip singolo che possono essere pilotati come un MOSFET, senza la necessità di driver di gate speciali, circuiti di pilotaggio complessi e con perdite, requisiti di alimentazione a tensione negativa o componenti di clamping aggiuntivi. Gli HEMT ICeGaN non richiedono strutture a cascata, né complesse configurazioni multi-chip, né soluzioni integrate termicamente complesse. Si tratta invece di una soluzione a chip singolo con logica proprietaria incorporata, che consente l’accoppiamento con gate driver o controller standard. I dispositivi sono considerati estremamente affidabili e adatti ad ambienti applicativi difficili (come quelli del mercato automobilistico).