Confronto tra soluzioni GaN discrete e integrate
A cura del Dr. Shuilin Tian e del Dr. Denis Marcon di Innoscience Il mondo dell’elettronica di potenza ha accolto con interesse i vantaggi offerti dalla tecnologia basata sul nitruro di gallio (GaN). Gli articoli pubblicati sulla stampa specializzata, le...
MOSFET SiC e il controllo della temperatura
Un MOSFET in stato di conduzione lavora con una efficienza massima, in quanto la tensione Drain-Source è minima, come pure la dissipazione di potenza. Ma se esso lavora in un sistema dinamico, le veloci commutazioni lo relegano in brevissime zone lineari, che ne...
Sistemi di potenza: il primo parametro da valutare è l’efficienza
L’elettronica di potenza è un settore in continua evoluzione. Alte temperature operative, alte tensioni e frequenze di commutazione elevate richiedono nuove funzionalità che solo i materiali come il nitruro di gallio (GaN) e il carburo di silicio (SiC) possono...
